作mos管用什么硅片（mos管制造）
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MOS型晶体管
mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
mosfet属于半导体器件。mosfet的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，也称为MOS场效应晶体管。它是一种非常重要的半导体器件，在电子电路中有广泛的应用。
使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。
可控硅和mos管的区别
1、区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
2、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
3、性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
4、MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。
5、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
6、场效应管与可控硅区别 三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
请问二氧化硅、氮化硅和磷原子在半导体制造中的作用分别是什么?
1、纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。
2、绝大多数集成电路都是用半导体硅Si作为起始材料 SiO2有两个突出的用途。它的绝缘性可以作为保护膜使p-n结免受周围环境杂质的污染。
3、气相外延法：将所需杂原子的气体混合在载气中，通过热解反应使杂原子沉积在半导体表面上形成薄膜；分子束外延法：使用分子束而非气体来沉积杂原子。
4、之所以N型半导体中有电子是作为载流子，但电子的产生是因为硅晶圆中的硅原子，被掺杂了磷原子。磷原子因为比硅多一个电子，取代硅原子的位置后，多出来的一个电子形成自由流动的载流子。
5、N型半导体 N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
6、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
场效应管的问题
①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
场效应管放大电路的优点是：（1）输入电阻大。
个人认为，N型场效应管有点类似于NPN晶体三极管，所以N型场效应管G和S的相位差是0，G和D的相位差是180。P型场效应管G和S的相位差是180，G和D的相位差是0。
mos管工作原理通俗易懂是什么?
mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。
在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。
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