本篇文章给大家谈谈晶体接地电容值怎么选，以及晶体电容选择对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、那怎样才能选择到合适的电容呢?
• 2、晶振怎么配电容呢
• 3、这个电路中晶振旁边没有22pf电容,这个可以吗?
• 4、无源晶振为何要选好匹配电容
• 5、51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
• 6、晶体的负载电容20p,晶体旁边的两个电容值应为多少

那怎样才能选择到合适的电容呢?

要确定电容的容量，容量太小了低频的下限和失真度都会受到影响。结合听感选择合适的电容，大多数高频用电解电容是不合适的，老化的旧电容也是不合适的。这个电容不仅仅是参数的问题，即使正切损耗角很小，ESR很低，Q值很高，也未必就是最好的，实际还需要结合听感来调整。

单相电机运行电容的品质也非常重要，品质差的电容容易损坏，影响单相电机的正常运行。需要选择品质可靠、质量保证的电容，尽量避免购买低质量、价格过低的电容。 安装电容的位置 单相电机运行电容的位置也非常重要，一般来说，电容应该安装在离单相电机尽量近的位置，以减少电容与单相电机之间的电压降。

如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪 声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

可以满足要求，稳压管选90-...50串，那电压有160V，电流满足要求，就稳压管改成150V。

额定电压（Rated Voltage）：这是贴片电容器所能承受的最大电压值，同样会直接标注在电容上。超过额定电压会导致电容器破裂或损坏，甚至引发火灾等危险情况。因此，在选择贴片电容时，必须根据实际应用的电压要求来选择合适的额定电压。

耦合电容器小了，可以通过交流电信号，造成信号损失，声音信号不纯净。耦合电容器大了，对信号衰减程度小，声音信号失真小，音质更佳。需要注意的是，这只是一个大概的比较，具体的差别还需要根据具体的电路和听感来判断。在实际应用中，我们可以根据自己的喜好和使用场景来选择合适的电容值。

晶振怎么配电容呢

1、高频晶振，30pF；低频晶振，100pF；串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

2、无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。

3、正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。

4、如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常厂家建议的外接负载电容为10～30pF左右。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容，芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实际配置C1，C2时，可各取20～15pF左右。

5、我们公司是生产晶振的，但是我负责业务，所以你这个问题具体我也说不上来，但是我的大部分客户是这样选择的：3768KHz的话，往往是圆柱形3*8或者2*6封装，匹配电容选15pF的；M级的晶振，比如4MHz，10592MHz，往往是选择49S封装的，匹配电容选20pF的。

这个电路中晶振旁边没有22pf电容,这个可以吗?

晶体旁边不加电容是可以的。晶体旁边加的这个电容被我们称之为晶体负载电容。晶体的谐振频率为Fr，加了电容的谐振频率为有载谐振频率FL。晶体谐振频率Fr与晶体有载谐振频率FL的关系为：FL＝Fr + Ts*CL 式中Ts为晶体的牵引量，单位为ppm/pF。CL为晶体的负载电容，即晶体旁边加的那个电容，单位为pF。

这个是微调电容，如果没有，不用，影响不大，晶振是主要的。

没问题的。那个电容是负载电容，差2pF也能正常工作，只是频率稍微差点，大概几个PPM，也就是百万分之几，这个误差完全在晶振本身的准确度范围内。

无源晶振为何要选好匹配电容

1、电容不能太小，晶体不起振，当电容太大，会失去振荡平衡，造成电路工作不稳定。

2、无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。

3、第注意频率的稳定度和相位噪声 在对无源晶振选型时，首先就要注意到无源晶振的稳定度，只有良好的稳定度才能够有效地使用，要注意振荡器的输出频率受温度变化的影响，只有受温度变化影响小的，才是优良的无源晶振。

4、无源晶振需要谐振电路才能工作，像单片机之类的，它的引脚内部就配套了一个谐振电路，你只要接上晶振和负载电容，上电就可以了。这种谐振电路比较简单，最典型的就是用非门和晶振构成。

51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等，大致都是一个二十皮法量级。

电源滤波电容根据电源情况，比如47uf、100uf；复位电容10uf；复位电阻10k；晶振匹配电容根据晶振频率，一般是30p。

晶振电容选择的几大标准 （1）：在容许范围内，C1，C2值越低越好。（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。晶振的起振原因分析 在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。

在震荡电路中，相连的电容因该是耦合电容，这个容值要是太大，就会造成容抗这增加，这样信号源通过会被大幅度消减或者压根就过不去，会影响到整个电路的运行。

常用的是晶体，需要配合两个瓷片电容，一般15pF~33pF，和单片机，电路正确，器件正常，上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号，不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路，上电就开始起振。

晶体的负载电容20p,晶体旁边的两个电容值应为多少

通常两个电容是串联形式，它们串联后应该等于负载电容，可以用两个33~39pF，考虑分布电容参数，使得串联后总容量达到20pF。

晶振负载电容要包括振荡器的分布电容，为了性能稳定，晶振、电容、集成块要尽量挨近，一般取15~30pF，两个电容值一般相等，也不一定都要一致，由调试决定。

晶振电路需要2个10-30pF级别的电容作为起振用途，10-30pF具体的值根据不同的晶振频率不同的单片机而有所不同，作用都是使晶振起振，如果去掉这2个电容，晶振就不会起振，就没有频率输出，单片机就不会工作。

照成了晶振内部支架和到石英晶片焊接出现裂缝，你用热风筒一吹加热以后就可以使用，一凉下来又不能使用了：2：或者是晶振在出厂的时候就已经是不合格品，晶振封口那里漏气，温度一高一低的时候就会产生不稳定显现，你可以参考一下深圳市康华尔电子有限公司官方网站，有这方面的资料。

建议换用CMOS电路试试。推荐芯片换成74HC04，C1和C2都要用陶瓷电容， C1取大于1000pF，C230pF 。R1和R2取5M左右。

一般来说 对于晶振旁边的电容 我们没有具体去选取 而是用啥片子 它总有个理论的电容匹配值 我们就用那个了。其中负载电容CL = Cg*Cd/（Cg+Cd）+Cs；其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。

关于晶体接地电容值怎么选和晶体电容选择的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。