如何配置晶振的电容（晶振匹配电容计算公式）
今天给各位分享如何配置晶振的电容的知识，其中也会对晶振匹配电容计算公式进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
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晶振电路布局及注意事项
1、无源晶振需要外接电压；由于芯片内部有振荡电路，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，可以允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。
2、选择质量好的晶振、选择损耗小的晶振电容。X TAL1和XTAL2口不要接入5V电压，在接入CMOS时钟输入时，要注意。晶体振荡电路部分对在PCB的板上布局非常敏感，应将晶体尽可能地靠近器件XTAL引脚，并在晶体引脚接上微调（10PF~33PF）电容。
3、晶振作为同步单片机全部工作的核心，首先要求高度可靠和稳定，所以离芯片越近，引线越短，受外来干扰就越小；其次，一般晶振部分是整个电路板中频率最高的部分，也就是高频辐射最严重的部分，晶振离芯片越近，引线越短，越能减少高频辐射，提高整个电路的可靠性和稳定性。
4、正方的，使用DIP-8封装，打点的是1脚。1-NC； 4-GND； 5-Output； 8-VCC 长方的，使用DIP-14封装，打点的是1脚。1-NC； 7-GND； 8-Output； 14-VCC 有源晶振通常的接法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。不过由于型号很多，有条件的话，可以到厂家网站确认。
5、由于石英谐振器在一定的温度范围内才具有很高的频率稳定度，当对频率稳定度要求很高时，可以考虑采用恒温设备或温度补偿措施。（5） 晶振在振荡电路中起振时等效为感性，负载电容与晶振的等效电感形成谐振，决定振荡器的振荡频率。
如何选择单片机晶振上面的电容
1、选择非电解电容，一般使用陶瓷电容，常见的单片机选择22pF即可。
2、-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
3、这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等，大致都是一个二十皮法量级。
4、正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。
...32.768KHz低速晶振,使用内置匹配电容,该如何设置?(包括程序)_百度知...
1、晶振电路旁路挂两个20PF差不户多了，20PF串联等效为10PF，加上回路杂散容值，基本就比较接近晶振的设定电容值15PF，这样就可以匹配出比较准确的振荡频率。
2、R1在本电路中主要用来设置第一个非门的工作点，主要看输出级的驱动能力，电阻值从1M到10M问题都不大。C1理论上应该等于晶体的匹配电容或负载电容，这个要查参数手册，一般是几十到几百pF量级。
3、正常的一个匹配情况是 晶振的电容值=（C1*C2）/（C1+C2）+线路杂散电容 C1 C2为晶振两边的电容。另外据我了解DS1302 芯片一般建议使用的晶振负载是6PF的，而市场上6PF货源不多，很多都是拿15PF的晶振去充6PF。所以一般是还是谨慎的选择匹配才好。。
晶振怎么配电容呢
1、最好的方法是PCB板上设有两个针孔使用铜线捆绑晶振。或者使用橡胶粘结剂进行。2）.晶振弯脚时随意弯曲。最佳的弯曲是用手指捏住圆柱晶体的外壳；用镊子夹住离晶体基座底部3mm以上的引线处，用镊子夹住弯曲引线成90°，不要用力拉引线。用力拉引线可能造成引线根部的玻璃子破裂，而产生漏气导致电气性能损坏。
2、晶振两边的电容一般直接使用20-30pF的瓷片电容器即可。
3、如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常厂家建议的外接负载电容为10～30pF左右。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容，芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实际配置C1，C2时，可各取20～15pF左右。
4、无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。
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